肖特基是金属和半导体结束形成的势垒二极管，用多数载流子导电，其反相饱和电流较以少数载流子导电的快恢复二极管的PN结大得多，而且其中少数载流子的存储效应非常小，反向恢复时间较快恢复当然小很多了。

　　二极管的尺寸、工艺和耐压等级都会影响导通压降和反向恢复时间，大尺寸二极管通常具有较高的VF和tRR，这会造成比较大的损耗。开关二极管一般以速度划分，分为“高速”、“甚高速”和“超高速”二极管，反向恢复时间随着速度的提高而降低。快恢复二极管的tRR为几百纳秒，而超高速快恢复二极管的tRR为几十纳秒。

　　低功耗应用中，替代快恢复二极管的一种选择是肖特基二极管，这种二极管的恢复时间几乎可以忽略，反向恢复电压VF也只有快恢复二极管的一半(0.4V至1V)，但肖特基二极管的额定电压和电流远远低于快恢复二极管，无法用于高压或大功率应用。另外，肖特基二极管与硅二极管相比具有较高的反向漏电流，但这些因素并不限制它在许多电源中的应用。

　　快恢复二极管的恢复时间是250-500ns

　　超快恢复二极管的恢复时间是75-250ns

　　肖特基二极管的恢复时间是10ns左右

　　而且他们的正向导通电压也有所不同。

　　肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的肖特基势垒二极管，简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒(2-10ns纳秒)，正向压降仅0.4v(0.4--1.0V)左右，而整流电流却克达到几千安。而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。